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65
天
CMOS back-end-of-line integration of bilayer ferroelectric tunnel junction in 1-transistor-1-capacitor circuit
作者
Keerthana Shajil Nair; Muhammad Hamid Raza; Catherine Dubourdieu; Veeresh Deshpande展开收起
作者单位
Helmholtz-Zentrum-Berlin für Materialien und Energie GmbH, Institute “Functional Oxides for Energy Efficient Information Technology”, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany; Freie Universität Berlin, Physical and Theoretical Chemistry, Arnimallee 22, 14195 Berlin, Germany展开收起
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