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IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 临时占位封面 工程技术
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Review Cycle Records

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES

IEEE SCIE 非OA
2026新锐 3区2025中科院 3区2025 JCR Q2
53平均天数
67中位天数
16最短天数
76最长天数
1,1042025发文量

Paper Review Records

全部论文审稿周期

3 篇有效样本 · 按发表日期由新到旧排列
审稿天数=录用日期-收稿日期;保留 PDF/DOI/网页源链接

16 天

Investigation of High-Temperature Characteristics of GaN p-Channel Field-Effect Transistors at 200 °C

作者Linhuan Gao; Xiufeng Song; Longyang Yu; Ga Zhang; Xuejing Sun; Junchun Bai; Bin Cheng; Ming Xiao; Shuzhen You; Shenglei Zhao; Yue Hao; Jincheng Zhang

作者单位1. Xidian University; 2. Shanghai Gejing Semiconductor Company Ltd.

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67 天

Enhancing the Optoelectronic Performance of InGaN-Based RGB Micro-LEDs via a DBR/Ag Composite Structure for Display Applications

作者Zhou Wang; Shiting Dou; Yan Gu; Siqi Yang; Yijing Lin; Yuhang Dai; Hao Zhong; Junyuan Chen; Yan Jiang; Huifang Ma; Honglin Chen; Jin Wang; Qiang Chen; Xiaoyan Liu

作者单位1. Nanjing University of Posts and Telecommunications; 2. No. 214 Research Institute

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76 天

3-D-Microfabrication Millimeter-Wave Bandstop Filter for SatCom Application

作者Jia-Hao Su; Hui-Kun Yang; Jin Xu; Hong Yu; Yan-Sen Zhao; Xiao Li; Jia-Hao Zhao

作者单位1. Northwestern Polytechnical University; 2. Department of Inner Mongolia Fimaco HONGYUAN Electric Appliances Company Ltd.; 3. Tsinghua University

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中位数77 天

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